蔡司Sigma

擁有高品質成像和先進顯微分析功能的FE-SEM

蔡司Sigma系列產品集場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術與良好的用戶體驗于一體，助您輕松實現(xiàn)構建成像和分析程序，同時提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質量監(jiān)測，或研究生物和地質樣本。Sigma可實現(xiàn)高分辨率成像，它采用低電壓，能在1 kV或更低電壓下實現(xiàn)更高的分辨率和對比度。它出色的EDS幾何學設計可執(zhí)行高級顯微分析，以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數(shù)據(jù)。

使用Sigma系列，暢游高端納米分析世界。

Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM，是分析測試平臺的合適之選。

Sigma 560采用先進的EDS幾何學設計，可提供高通量分析，實現(xiàn)自動原位實驗。

產品優(yōu)勢

Sigma 360是分析測試平臺的合適之選，直觀的圖像采集

從設置到獲取基于人工智能的結果，均提供專業(yè)向導，為您保駕護航，助您探索直觀成像工作流。

可在1 kV和更低電壓下分辨差異，實現(xiàn)更高的分辨率和對比度。

可在極端條件下執(zhí)行可變壓力成像，獲得出色的非導體成像結果。

直觀成像工作流為您指引方向

從設置到獲取基于人工智能的結果，每一步都清晰明了

即使您是新手用戶，也能輕松獲得專業(yè)結果。Sigma系列獲取圖像迅速，易于學習和使用的工作流可節(jié)省培訓時間，簡化從導航到后期處理的每個步驟，讓您如虎添翼。

蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導航、參數(shù)設置和圖像采集等步驟。

接下來，ZEN core便可大顯身手：它配備針對具體任務的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包，它可助您基于機器學習進行圖像分割。 

將多模式實驗與Connect Toolkit相結合，或使用Materials應用程序分析顯微結構、晶粒尺寸或涂層厚度

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

增強的分辨率。優(yōu)化的襯度

光學鏡筒是成像和分析性能的關鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學鏡筒，可對任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。

Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時為1.9 nm。通過大幅度降低色差，1 kV時的分辨率已提升10%以上，可達1.3 nm。

現(xiàn)在成像比以往任何時候都輕松，無論是要求苛刻的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測。

可在極端條件下執(zhí)行可變壓力成像，獲得出色的非導體成像結果。

用于分析和成像的NanoVP lite模式

新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時，從非導體中輕松獲取高質量數(shù)據(jù)。

這樣，就可增強成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。

aBSD1（環(huán)形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯(lián)電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

對聚苯乙烯樣品進行斷裂，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。Sigma 360，C2D，3 kV，NanoVP lite模式，樣品室壓力60Pa。

Sigma 560高通量分析，原位實驗自動化

對實體樣品進行高效分析：基于SEM的高速和通用分析。

實現(xiàn)原位實驗自動化：無人值守測試的全集成實驗室。

可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像：采集完整的樣品信息。

對實體樣品進行高效分析

EDS：通用、高速，助您深入研究

Sigma 560的**EDS幾何學設計可提高分析效率。兩個180°徑向相對的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下，也能實現(xiàn)高通量無陰影元素面分布。

樣品室的附加EBSD和WDS端口可進行除EDS外的分析。

不導電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進行分析，并能獲得更強的信號和更高的對比度。

全新的aBSD4探測器可輕松實現(xiàn)表面形貌復雜樣品的圖像采集。

氧化鋁球體，在500 V表面信息敏感條件下高分辨成像，可以看到燒結顆粒的表面梯度，某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。

實現(xiàn)原位實驗自動化

無人值守測試的全集成實驗室

Sigma原位實驗室是一種全集成式解決方案，它可以不依賴操作人員，通過無人值守的自動化工作流進行加熱和拉伸測試。

通過對納米級別的特征進行3D分析進一步擴展您的工作流：執(zhí)行3D STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。

新aBSD4可實現(xiàn)實時3D表面建模（3DSM）。

鋼原位加熱和拉伸實驗。同步執(zhí)行SEM成像和EBSD分析，以深入研究應力應變曲線。

對要求苛刻的樣品能夠輕松成像

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

在1 kV或甚至在500 V時實現(xiàn)信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。

在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測器

在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。

正在研究電子設備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀（強烈推薦）和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。

以低電壓成像的碳納米管（CNT）。Sigma 560，500 V，Inlens SE探測器。